宋文斌
- 作品数：20 被引量：21H指数：2
- 供职机构：大连东软信息学院更多>>
- 发文基金：辽宁省科技厅博士启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 一种用于器件模型参数提取的芯片测试数据的获取方法
- 2012年
- 半导体器件的建模及模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键性工作。要提取器件参数,获取并处理复杂繁重的测量数据是前提条件,也是非常重要的一个环节,如何简单有效的提取并处理参数提取测试数据就显得格外重要。本文提出了简单易用的用于器件模型参数提取的测试数据的获取方法。实验证明,该方法可以有效的获取大量繁杂的测试数据,具有较高的精确度,而且简单易用,适合推广使用。
- 宋文斌
- 关键词：MOS器件模型参数数据测试
- 器件模型参数提取过程中的数据格式转化程序设计
- 2012年
- 器件的模型和模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键工作。目前,模型参数的提取主要通过商业软件来完成,商业软件由于价格昂贵及其内部机理的复杂性限制了它们的应用。本文针对在参数提取过程中,数据量大、数据格式转化繁琐等问题,编写了一个数据格式转化程序。该程序简单易用,且具有较高的精确度,适合推广使用。
- 宋文斌赵恕昆
- 关键词：MOS器件模型参数数据转化
- 并行遗传算法在器件模型参数提取中的应用被引量：1
- 2012年
- 器件的模型和模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键工作。采用遗传算法进行器件模型参数提取工作是近年来兴起并被广泛使用的一种参数提取方法。本文讨论了并行遗传算法的特点,针对遗传算法自身的耗时问题,提出了基于MPI的主从式遗传算法,并证实了并行计算在参数提取工作中的可行性。该方法简单易用,显著提升了MOS器件模型参数提取的速度。
- 宋文斌
- 关键词：MOS器件模型参数
- 多晶硅部分剥离技术对抗辐照VDMOS动态特性的影响被引量：2
- 2012年
- 在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时,为了总剂量辐照加固的需求,需要减薄氧化层的厚度,然而,从VDMOS器件的开关特性考虑,希望栅氧化层厚度略大些。本文论证了在保证抗辐照特性的需求的薄氧化层条件下,采用漂移区多晶硅部分剥离技术以器件动态特性的可行性,研究了该结构对器件开启电压、击穿电压、导通电阻、寄生电容、栅电荷等参数的影响,重点研究了漂移区多晶硅窗口尺寸对于VDMOS动态特性的影响。模拟结果显示,选取合理的多晶硅尺寸,可以降低栅电荷Qg,减小了栅-漏电容Cgd,减小器件的开关损耗、提高器件的动态性能。
- 宋文斌蔡小五
- 关键词：VDMOS抗辐照动态性能
- VDMOS异常峰值电流产生原因研究
- 2011年
- 研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状态决定。一般MOSFET不具有此特殊结构,因而不具有此异常峰值电流现象。为了验证上述理论,采用TCAD(ISE),模拟了氧化物陷阱电荷和界面态电荷对异常峰值电流的影响程度。研究结果表明,氧化物陷阱电荷和界面态电荷显著影响neck区域的复合电流,是产生异常峰值电流最主要的原因。
- 宋文斌蔡小五
- 关键词：VDMOS界面态电荷
- PDCA循环在微电子器件设计实践课程中的应用
- 2018年
- 传统的"以教师为中心"的教学模式培养的学生同微电子行业人才需求之间存在着脱节的现象。在微电子器件设计实践课程中引入PDCA循环,以学生为中心,制定具体的教学方式,提高了学生学习的积极性和创造性,进而很大程度上提高学生实践能力。
- 孙晓东宋文斌宗杨王莉
- 关键词：PDCA微电子实践课程
- 基于OBE教学模式的“半导体制造工艺”课程教学改革被引量：1
- 2017年
- 针对"半导体制造工艺"课程的特点,结合ONE教学理念,针对我国高校微电子专业课程建设中普遍存在的问题,提出了"半导体制造工艺"课程的改革方案。改革以学生为中心,内容涵盖教学的各个方面,将理论教学与实地动手实践紧密结合,提高教学质量,使学生的各方面能力得到全面锻炼与提升。
- 杨德超张颖王莉曹海燕宗杨宋文斌
- 关键词：半导体制造工艺
- 一种负反馈式双极结型晶体管工艺实现
- 2023年
- 利用负反馈电路对放大器提高增益稳定性、减少非线性失真、拓展通频带宽、改善输入输出电阻的作用,基于实际生产,设计并实现一款带电阻双极结型晶体管产品。在普通晶体管基础上,利用LPCVD工艺淀积多晶硅,并对其进行离子注入,充当负反馈偏置电路中的电阻结构。以典型半导体加工工艺先后实现基极、发射极、通孔、多晶硅电阻、电极、保护膜以及集电极的制备,对电路成品进行详细性能测试并投入生产。该产品EDS特性测试良率高达99.4%,放大倍数均为200以上。
- 王莉宋文斌刘盛意徐晓萍刘巾湘方文远
- 关键词：半导体工艺离子注入多晶硅电阻
- 一种新型高压功率器件终端技术被引量：13
- 2011年
- 为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术。采用TCAD(ISE)对该技术进行模拟,结果表明,该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性。
- 宋文斌蔡小五
- 关键词：功率器件击穿电压终端技术场限环
- 一种晶体振荡器
- 本实用新型实施例公开了一种晶体振荡器，所述晶体振荡器包括振荡晶体，所述振荡晶体位于晶体振荡器芯片的外部，其特征在于，晶体振荡器芯片的内部包括：反相器；可调电容组，所述可调电容组与所述反相器电连接，能够与所述反相器构成所述...
- 王莉宋文斌冯秋霞杨德超宗杨孙晓东王开平王子贤陶然杨洋
