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氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究: 研究了氨基乙酸-HO体系抛光液中铜的化学机械抛光行为．通过动电位极化扫描技术和 X 射线光电子能谱仪分析了抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分在铜化学机械抛光过程中的作用．结果表明,铜在抛光液中氧化剂的作用下表面钝化,钝化层...; 张伟路新春刘宇宏雒建斌; 关键词：化学机械抛光氨基乙酸腐蚀坑; 文献传递

氨基乙酸-H_2O_2体系抛光液中铜的化学机械抛光研究被引量：6: 2008年; 在CP-4型CMP试验机上采用5μm厚的铜镀层片研究了氨基乙酸-H2O2体系抛光液中铜的化学机械抛光行为,分别采用Sartorius 1712MP8型电子天平和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪检测抛光去除率和抛光后表面粗糙度,用CHI660A型电化学工作站的动电位极化扫描技术和PHI-5300ESCA型X射线光电子能谱仪分析抛光液中氧化剂和络合剂等化学组分对铜的作用机制.结果表明,由于氧化剂H2O2对铜的氧化作用使得氨基乙酸对铜的络合速率从1.4 nm/min提高到47 nm/min,进而提高了铜的化学机械抛光去除率.当抛光压力≤10.35 kPa时,抛光后铜表面出现腐蚀坑,腐蚀坑面积比率随抛光过程相对运动速度的增大而减小;当抛光压力≥17.25 kPa时,铜表面腐蚀坑消失,在相对运动速度≥1 m/s条件下,表面粗糙度为3-5 nm;当抛光压力〉6.9 kPa,在相对运动速度≤1 m/s条件下,随着相对运动速度增大,机械作用增强,抛光去除率增大;当相对运动速度〉1 m/s时,抛光界面区抛光液润滑效应增强,抛光去除率有所降低,化学机械抛光过程中这一临界相对运动速度为1 m/s.; 张伟路新春刘宇宏潘国顺雒建斌; 关键词：化学机械抛光氨基乙酸腐蚀坑

缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用研究被引量：9: 2007年; 利用柠檬酸体系抛光液研究了苯并三氮唑(BTA)缓蚀剂对铜化学机械抛光过程和抛光效果的影响,并通过X射线光电子能谱仪、紫外可见吸收光谱仪及表面电位测试和电化学分析等手段分析了抛光液中BTA缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用机理.结果表明,当H2O2存在时,抛光液中BTA作为阳极缓蚀剂吸附在抛光表面,提高了阳极铜溶解的平衡电位,并通过缩合反应生成保护膜,减小了抛光后的表面粗糙度,提高了表面质量,同时在一定程度上增加了抛光过程中的摩擦系数.另外,BTA对SiO2抛光磨粒具有一定的吸附作用,进而对抛光效果产生一定的影响,抛光磨粒表面吸附层的存在会减小抛光过程中的摩擦系数.; 张伟路新春刘宇宏雒建斌; 关键词：化学机械抛光缓蚀剂极化曲线

自适应微摩擦综合测试仪的研制与纳米润滑实验研究被引量：14: 1998年; 描述了作者研制的自适应微摩擦综合测试仪的基本原理。采用多用途自适应浮动结构、精密刀口杠杆加载结构和摩擦力精密测量系统，可精确地加载和测量ｍＮ量级的摩擦力。研究纳米膜在各种润滑方式下的摩擦学性能，同时采用相对光强光干涉法，检测纳米级的润滑膜厚以及润滑状态的变化。以１０＃标准粘度液作润滑剂，分别用面接触浮动润滑副和点接触浮动润滑副作实验，研究了其摩擦因数和润滑膜厚度随载荷、速度和运动方式（点接触纯滑动和纯滚动）的变化规律，并验证了仪器的实验性能。; 钱林茂雒建斌张伟温诗铸; 关键词：自适应微摩擦测试仪纳米润滑

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张伟