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刘志凯

作品数：75 被引量：72H指数：5
供职机构：中国科学院更多>>
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机构

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资助

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传媒

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地区

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共 48 条 记 录，以下是 1-10
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 非极性 氮化镓 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋书林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 离子注入 砷化镓 X射线衍射 稀磁半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周剑平
供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
研究主题：MN 离子注入 介电性能 磁性 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖梅勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金刚石膜 SI薄膜 碳膜 PLD法 脉冲激光淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚振钰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ZNO薄膜 低能离子束 硅 PLD法 脉冲激光淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦复光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅 FESI 低能离子束 PLD法 脉冲激光淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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