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刘洪民

作品数：11 被引量：46H指数：4
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共 51 条 记 录，以下是 1-10
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：全耗尽 CMOS/SOI INGAP/GAAS_HBT 自对准工艺 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张海英
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：频率综合器 单片集成 脉搏波 GAAS 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
扈焕章
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：MOS LDD 锗 SOI工艺 薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 显影 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS ALIGNED 氮化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王素琴
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS 大功率 LOW INGAP/GAAS_HBT INGAP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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