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赵洪辰

作品数:23 被引量:54H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
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领域

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机构

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19 条 记 录,以下是 1-10
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
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钱鹤
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于广华
供职机构:北京科技大学
研究主题:各向异性磁电阻 多层膜 垂直磁各向异性 磁性薄膜 自旋阀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱逢吾
供职机构:北京科技大学
研究主题:各向异性磁电阻 多层膜 磁控溅射 自旋阀 磁鼓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
司红
供职机构:国家钢铁材料测试中心
研究主题:柴油机曲轴 应力腐蚀 原位统计分布分析 扫描电镜 断裂失效分析
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连军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI_CMOS器件 全耗尽 SOI 绝缘体上硅 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS 等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马纪东
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院
研究主题:各向异性磁电阻 X射线光电子能谱 TA FE NI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙世兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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