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陈世杰

作品数:34 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信交通运输工程金属学及工艺理学更多>>

领域

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10 条 记 录,以下是 1-10
王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩锴
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 界面层 金属栅 阈值电压 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡雪梅
供职机构:重庆邮电大学
研究主题:铁电阴极 电子发射 大功率LED 强电流 无线传感器网络
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张树人
供职机构:电子科技大学
研究主题:微波介质陶瓷材料 微波介质陶瓷 电子陶瓷 微波陶瓷 陶瓷材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭曙光
供职机构:电子科技大学
研究主题:电子发射 铁电阴极 强电流 发射度 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王宝英
供职机构:重庆通信学院
研究主题:传感器网络 ZIGBEE技术 ZIGBEE 网络研究 智能交通
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴贵能
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院
研究主题:CMOS 模拟集成电路 英文 CMOS运算放大器 带隙基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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