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陶永洪

作品数：31 被引量：43H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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柏松
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 导电类型 外延层 刻蚀 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：导电类型 碳化硅 沟道 MOSFET器件 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪玲
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 高温退火 沟道电阻 刻蚀 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪玲
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：H型 界面态 碳化硅 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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