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杨洪刚

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 1个电气工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个核科学技术
  • 1个一般工业技术
  • 1个理学

主题

  • 4个压应力
  • 4个亚微米
  • 4个应力
  • 4个载流子
  • 4个载流子迁移率
  • 4个深亚微米
  • 4个迁移率
  • 4个微米
  • 3个氮化
  • 3个氮化硅
  • 3个氧化物半导体
  • 3个微米工艺
  • 3个位错
  • 3个金属氧化物半...
  • 3个互补金属氧化...
  • 3个沟道
  • 3个硅材料
  • 3个盖帽
  • 2个位错密度
  • 2个面粗糙度

机构

  • 4个电子科技大学

资助

  • 3个电子薄膜与集...
  • 1个广东省自然科...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个广东省战略性...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个模拟集成电路...
  • 1个中央高校基本...

传媒

  • 4个电子元器件应...
  • 3个2009四川...
  • 2个浙江大学学报...
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  • 1个教育教学论坛
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  • 1个四川省电子学...

地区

  • 4个四川省
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全冯溪
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：硅材料 SIGE材料 应力 表面粗糙度 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
应贤炜
供职机构：电子科技大学
研究主题：互补金属氧化物半导体 晶体管结构 CMOS 沟道 小尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构：电子科技大学
研究主题：栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨阳
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：SIGE材料 表面粗糙度 压应力 氮化硅 摆率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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