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16 条 记 录,以下是 1-10
洪根深
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 单粒子 总剂量 总剂量辐射 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李燕妃
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 抗辐射 发射结 抗辐射加固 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾祥
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 SOI器件 SOI工艺 抗ESD 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文斌
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 总剂量 电荷共享 CMOS工艺 SWI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王印权
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:反熔丝 淀积 半导体工艺 浮栅 编程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 抗辐射 NPN 高抗 发射结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王蕾
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 抗辐射加固 单粒子翻转 FET器件 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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