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8 条 记 录,以下是 1-8
洪根深
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 单粒子 总剂量 总剂量辐射 场区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄蕴
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:THD 积分非线性 离散傅里叶变换 总谐波失真 PLASMA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦征峰
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:PLASMA N型 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾霞
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:衬底材料 薄膜厚度 光刻胶 剖面 发花
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李洪霞
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:DOE CMOS工艺 CMOS 厚度 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱宏
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:MOSFET SPICE 模型建立
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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