杨成兴
- 作品数：7 被引量：59H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究
- 该论文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展.利用自制的雾化汽相沉积技术生长了高度C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM...
- 杨成兴
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂光电性能
- 文献传递
- 一种S型负阻器件及其制备方法
- 本发明的S型负阻器件是由上电极、氧化锌薄膜、P型硅片衬底和下电极依次迭置而成,氧化锌薄膜在P型硅片衬底的正面,上电极在氧化锌薄膜上,下电极在P型硅片衬底的背面。其制备方法包括在经过清洗的P型硅片衬底的背面沉积下电极,在正...
- 季振国刘坤杨成兴叶志镇
- 文献传递
- 雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能被引量：15
- 2002年
- 采用超声雾化技术 ,以醋酸锌水溶液为源物质 ,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜 ,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响 .结果表明其为六方晶体 (纤锌矿 )结构 ,在适当的条件下 ,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜 ,所得到的ZnO薄膜具有低达 7 6 8× 10 10 cm-3 的载流子浓度 ,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义 .
- 杨成兴季振国刘坤樊瑞新叶志镇
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射分析电学性能载流子浓度
- 反应沉积法制备c轴取向ZnO薄膜及表征被引量：3
- 2002年
- 以二水合醋酸Zn为原料 ,采用反应沉积方法在非晶玻璃衬底上制备出了高度c轴取向、结晶良好的ZnO薄膜。研究了不同衬底温度和Zn源温度对ZnO薄膜性质的影响 ,探讨了不同衬底温度和Zn源温度下生长ZnO薄膜的最佳参数。本文还讨论了该方法制备ZnO薄膜的沉积机制及优化条件下样品的透光特性。
- 刘坤季振国杨成兴芮祥新王龙成叶志镇
- 关键词：C轴取向ZNO薄膜X射线衍射氧化锌半导体
- 热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响被引量：1
- 2003年
- 本文利用计算机程序简单模拟了圆盘状加热器和圆筒状加热器的热场分布 ,研究了热场对雾化裂解CVD法生长的半导体薄膜厚度均匀性的影响 ,并采用雾化裂解CVD技术制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。实验结果表明利用圆筒形加热器及对衬底位置的控制可以在较小的加热器内获得相对尺寸大、厚度均匀性较好ZnO薄膜。
- 季振国杨成兴刘坤叶志镇
- 关键词：半导体薄膜厚度均匀性加热器
- 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征被引量：34
- 2004年
- 采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0～ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。
- 季振国宋永梁杨成兴刘坤王超叶志镇
- 关键词：光致发光溶胶-凝胶法旋涂
- 一种S型负阻器件及其制备方法
- 本发明的S型负阻器件是由上电极、氧化锌薄膜、P型硅片衬底和下电极依次迭置而成，氧化锌薄膜在P型硅片衬底的正面，上电极在氧化锌薄膜上，下电极在P型硅片衬底的背面。其制备方法包括在经过清洗的P型硅片衬底的背面沉积下电极，在正...
- 季振国刘坤杨成兴叶志镇
- 文献传递
