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李道全

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇PTSI
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇SI
  • 1篇势垒
  • 1篇全硅集成光学
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇肖特基势垒二...
  • 1篇集成光学
  • 1篇光探测
  • 1篇光探测器
  • 1篇光学
  • 1篇硅光探测器
  • 1篇红外光
  • 1篇二极管
  • 1篇PTSI/P...
  • 1篇铂

机构

  • 4篇西安交通大学

作者

  • 4篇李道全
  • 4篇李国正
  • 1篇刘恩科
  • 1篇袁赵祥
  • 1篇张浩
  • 1篇赵策洲

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇1995
  • 2篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
PtSi／p—Si红外探测器的优化设计与制作被引量：1
1995年
本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。
李国正李道全
关键词：红外探测器
PtSi／n—Si肖特基势垒二极管的研制
1995年
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。
李国正袁赵祥李道全
关键词：肖特基势垒二极管PTSI
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲　1．3～1．6μm硅光探测器
1994年
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲１．３～１．６μｍ硅光探测器李国正（副教授）李道全（西安交通大学电子工程系，西安７１００４９）赵策洲（西安电子科技大学历电子所，西安７１００７１）１引言由于本征硅材料的长波吸收极限为１．１μｍ，因此用...
李国正李道全赵策洲
关键词：集成光学全硅集成光学硅光探测器
PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制
1994年
介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。
李国正李道全刘恩科张浩
关键词：PTSI红外探测器
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