刘恩科
- 作品数：65 被引量：96H指数：6
- 供职机构：西安交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：2
- 2000年
- 基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
- 李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅
- 关键词：调制器干涉型
- 蝶形电极结构载流子注入全内反射交叉脊形光波导开关被引量：4
- 1997年
- 分析了一种蝶彩电极结构交叉脊形光波导开关．这种结构可使波导交叉角增大，反射损耗降低，传输端的消光比提高，波导的数值孔径变大，且有较小的串音．
- 李宝军刘恩科
- 关键词：硅光波导开关电极结构
- 硅压力传感器静态特性参数计算机标定系统被引量：2
- 1995年
- 介绍可标定６４路压力传感器静态特性参数的计算机标定系统。数据采集精度可达０．０５％，可得出传感器的非线性、迟滞、重复性、零位输出、零位温漂、灵敏度、温漂特性参数。该系统还可用于压力传感器的温漂补偿。补偿后压力传感器零位＜０．５ｍＶ，零位温漂＜５×１０－５／℃Ｆ．Ｓ。
- 乔景庄刘恩科张声良
- 关键词：压力传感器传感器静态特性CADCAM
- Ge_xSi_（1－x）／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计被引量：1
- 1995年
- 本文提出了一种简便可行的ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型──—ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理：采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ（０．１）Ｓｉ（０．９）／Ｓｉ异质结ＢＯＡ开关的结构参数和电学参数．
- 赵策洲刘恩科高勇
- 关键词：光开关硅化锗异质结
- 平面光波导中的有效折射率数值解法及光场分析被引量：1
- 1997年
- 本文给出一种计算有效折射率的数值迭代算法，通过计算得出平面光波导的光场分布及厚度。
- 刘淑平李国正刘恩科
- 关键词：有效折射率光场分布
- 电光开关与GeSi红外传感器集成的可行性讨论
- 1996年
- 在研制成功GeSi全内反射(TIR)型电光开关的基础上,对这种电光开关与GeSi/Si SLS红外传感器的集成可行性进行了深入探索.
- 李国正刘恩科
- 关键词：OEIC电光开关红外传感器
- 渐变截面多模干涉器件中MMI区长度的计算被引量：1
- 2000年
- 从渐变截面波导与强导近似的阶跃截面波导之间的区别入手 ,推导出了渐变截面MMI区长度的精确表达式 ,并对成像的振幅和相位关系进行了研究。结果表明 ,在相同MMI区宽度条件下 ,渐变截面器件中MMI区最短长度为阶跃截面的两倍 ,但它的设计灵活性却是阶跃截面器件所无法比拟的。
- 孙飞刘润民李国正刘恩科
- 关键词：多模干涉波导
- 硅的等离子体色散效应及其应用被引量：4
- 1996年
- 本文介绍了Ｓｉ的等离子体色散效应，并应用它研制了Ｓｉ的电光调制器和２×２电光开关，取得了满意的结果。
- 李国正刘育梁刘恩科
- 关键词：光开关等离子体色散硅
- PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制
- 1994年
- 介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。
- 李国正李道全刘恩科张浩
- 关键词：PTSI红外探测器
- 硅的电化学自致停腐蚀研究
- 1995年
- 本文对硅的电化学自致停腐蚀的原理作了简要分析，利用自制装置实现了硅电化学自致停腐蚀，成功制备出符合光波导要求的ＳＯＩ片。
- 李国正郑玉祥刘恩科
- 关键词：电化学腐蚀硅
