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刘西钉

作品数：13 被引量：30H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电光
  • 3篇SI
  • 3篇波导
  • 3篇X
  • 2篇电光开关
  • 2篇调制器
  • 2篇定向耦合器
  • 2篇耦合器
  • 2篇微测辐射热计
  • 2篇集成光学
  • 2篇脊形
  • 2篇光波
  • 2篇光开关
  • 2篇光学
  • 2篇红外
  • 2篇SOI
  • 2篇锗
  • 2篇波长
  • 2篇测辐射热计
  • 1篇电光调制

机构

  • 11篇西安交通大学
  • 2篇复旦大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 13篇刘西钉
  • 9篇刘恩科
  • 8篇李国正
  • 7篇高勇
  • 5篇赵策洲
  • 2篇卢学坤
  • 2篇张翔九
  • 2篇王迅
  • 2篇梁平治
  • 2篇沈学础
  • 2篇李国正
  • 1篇丁爱娣
  • 1篇李国正
  • 1篇李跃进
  • 1篇江美玲
  • 1篇朱作云
  • 1篇张浩
  • 1篇高勇

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇光学学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 7篇1995
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验被引量：2
1995年
设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。
李国正张浩高勇刘西钉刘恩科张翔九卢学坤王迅
关键词：红外探测器分子束外延离子注入
Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制被引量：1
1996年
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％
高勇李国正刘恩科赵策洲刘西钉张翔九卢学坤王迅
关键词：定向耦合器
Si_（1－x）Ge_x／Si脊形波导X型分支器的研制被引量：3
1995年
采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导，在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能．设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交叉波导传输特性分析的结果．Ｘ型光分支器的实现为进一步研制Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验．
高勇刘恩科李国正李国正
关键词：异质结脊形波导波导分支器锗
SOI波长信号分离器的研制被引量：1
1995年
根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ波长信号分离器，在波长为１．３μｍ时，其插入损耗为４．８１ｄＢ，串音小于－１８．６ｄＢ。
赵策洲李国正刘恩科刘西钉高勇
关键词：集成光学光通讯
Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器被引量：1
1996年
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。
李国正高勇刘西钉刘恩科
关键词：电光器件电光调制器硅锗
非致冷红外微测辐射热计的自热效应分析及重要参数测定被引量：7
1999年
在考虑器件自热效应的情况下，对微测辐射热计的性能进行了深入地理论分析，应用了微测辐射热计的有效热导Ｇｅｆｆ概念，得出对于一定的热导的器件，存在着最佳工作偏置电流Ｉ０ｏｐｔ这一重要结论，并找到一种通过电学测量确定微测辐射热计有效热导Ｇｅｆｆ和有效时间常数τｅｆｆ的方法．试验结果与理论分析符合．
刘西钉梁平治沈学础
关键词：微测辐射热计自热效应电学测量非致冷
非制冷红外微测辐射热计的研制被引量：10
1997年
采用多晶硅薄膜材料作为热敏电阻材料，以普通的ＩＣ工艺及微机械加工技术研制成功了在室温下工作的红外微测辐射热计，其多晶硅电阻温度系数为－２％℃－１，探测率Ｄ＊达２×１０８ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．
刘西钉江美玲冯晓梅丁爱娣梁平治沈学础
关键词：多晶硅非制冷微测辐射热计红外
SOI定向耦合器研制被引量：1
1995年
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．
赵策洲李国正刘恩科刘西钉高勇
关键词：定向耦合器SOI耦合器
SOI结构M-z型调制器的有限元法分析被引量：1
1997年
本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p^+n结大注入时该调制器的电学性质,从而为实际研制成这种干涉型调制器打下了理论基础。
赵策洲刘恩科李国正高勇刘西钉
关键词：集成光学调制器有限元法
波长1.3umGeSi电光开关的研制
刘西钉
关键词：光开关
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共2页<12>
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