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李国正

作品数：69 被引量：86H指数：5
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 66篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 22篇SI
  • 21篇探测器
  • 21篇波导
  • 15篇X
  • 14篇光学
  • 12篇集成光学
  • 12篇XSI
  • 10篇晶格
  • 10篇超晶格
  • 9篇红外
  • 9篇硅
  • 8篇调制器
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  • 8篇光电
  • 8篇红外探测
  • 8篇红外探测器
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  • 7篇调制
  • 7篇脊形
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机构

  • 66篇西安交通大学
  • 4篇复旦大学
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇太原重型机械...
  • 1篇西安理工大学
  • 1篇太原科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 69篇李国正
  • 43篇刘恩科
  • 12篇赵策洲
  • 10篇高勇
  • 9篇李娜
  • 8篇刘西钉
  • 7篇李宝军
  • 6篇张浩
  • 4篇刘淑平
  • 4篇李道全
  • 4篇王迅
  • 4篇刘润民
  • 4篇万建军
  • 4篇许雪林
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  • 3篇孙飞
  • 3篇刘淑平
  • 2篇卢学坤
  • 2篇张声良

传媒

  • 18篇半导体光电
  • 10篇光学学报
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  • 4篇半导体杂志
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  • 1篇中国激光
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇测控技术
  • 1篇计算物理
  • 1篇激光与红外
  • 1篇陕西师范大学...
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 2篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 11篇1998
  • 14篇1997
  • 16篇1996
  • 16篇1995
  • 7篇1994
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GeSi／Si应变超晶格探测器的制作
1996年
介绍ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变新材料探测器的制作方法，它不仅与Ｓｉ微电子工艺相兼容，而且还可调节Ｇｅ含量使其禁带宽度满足现代光纤通信器件的要求。
刘淑平闫进扬型建李国正
关键词：红外探测器光电器件超晶格
GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：2
2000年
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅
关键词：调制器干涉型
1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成
1998年
对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的探测器长度分别为１ｍｍ和２ｍｍ．
李宝军李国正刘恩科
关键词：红外探测器光通信
Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成被引量：1
1996年
提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在〈１００〉ｎ＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊形波导电光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．
李国正
关键词：集成光学调制器异质结锗
PtSi／n—Si肖特基势垒二极管的研制
1995年
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。
李国正袁赵祥李道全
关键词：肖特基势垒二极管PTSI
p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器
1996年
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
李国正高勇刘恩科
关键词：调制器异质结锗
GexSi1－x／Si超晶格PIN波导探测器结构及性能参数被引量：1
1996年
从ＰＩＮ波导探测器性能参数的定义出发，阐述了各参数之间的内在联系，说明量子效率与带宽、灵敏度等物理量之间的矛盾现象。通过对具体结构及参数的分析比较，说明结构与参数之间的影响方式以及ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格波导探测器的特有性质。
李娜刘恩科李国正
关键词：波导光电探测器量子效率
Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器被引量：1
1996年
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。
李国正高勇刘西钉刘恩科
关键词：电光器件电光调制器硅锗
用于光纤通信的新型BOA电光开关结构的设计被引量：1
1996年
本文提出了一种新型的ＢＯＡ（ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）型电光开关结构。该结构采用了低传输耗损的ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料和高注入效率的电学注入方法。本文根据双模干涉机理和等离子体色散效应分析了这种开关的电光调制机理，根据大注入效应和双注入效应分析了这种开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，对这种开关的结构参数和电学参数进行了优化设计，其开关电流密度为１０２Ａ／ｃｍ２量级。
赵策洲刘恩科李国正刘志敏
关键词：光开关光纤通信
Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计被引量：2
1996年
对GexSi(1-x)／Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计。优化结构为：i-Si雪崩区厚是1．8～2μm；p-Si区的掺杂浓度是1018cm－3，厚为17nm；超晶格总厚为340um。它可探测1．3～1．6μm的红外光。
李国正张浩
关键词：应变超晶格雪崩光电探测器
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