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高勇

作品数：12 被引量：13H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇调制器
  • 5篇X
  • 4篇SI
  • 4篇XSI
  • 3篇电光
  • 3篇电光调制
  • 3篇电光调制器
  • 3篇调制
  • 3篇异质结
  • 3篇探测器
  • 3篇脊形
  • 3篇光调制
  • 3篇光调制器
  • 3篇硅化锗
  • 3篇锗
  • 3篇波导
  • 2篇定向耦合器
  • 2篇耦合器
  • 2篇集成光学
  • 2篇光电

机构

  • 12篇西安交通大学
  • 2篇复旦大学
  • 1篇西安理工大学

作者

  • 12篇刘恩科
  • 12篇高勇
  • 10篇李国正
  • 7篇刘西钉
  • 4篇赵策洲
  • 2篇卢学坤
  • 2篇张翔九
  • 2篇王迅
  • 2篇李国正
  • 1篇李国正
  • 1篇张浩
  • 1篇李娜

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 2篇Journa...
  • 2篇光学学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 3篇1997
  • 4篇1996
  • 5篇1995
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ge_xSi_（1－x）／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计被引量：1
1995年
本文提出了一种简便可行的ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型──—ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理：采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质；并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ（０．１）Ｓｉ（０．９）／Ｓｉ异质结ＢＯＡ开关的结构参数和电学参数．
赵策洲刘恩科高勇
关键词：光开关硅化锗异质结
SOI结构M-z型调制器的有限元法分析被引量：1
1997年
本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p^+n结大注入时该调制器的电学性质,从而为实际研制成这种干涉型调制器打下了理论基础。
赵策洲刘恩科李国正高勇刘西钉
关键词：集成光学调制器有限元法
Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验被引量：2
1995年
设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。
李国正张浩高勇刘西钉刘恩科张翔九卢学坤王迅
关键词：红外探测器分子束外延离子注入
Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制被引量：1
1996年
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％
高勇李国正刘恩科赵策洲刘西钉张翔九卢学坤王迅
关键词：定向耦合器
Si_（1－x）Ge_x／Si脊形波导X型分支器的研制被引量：3
1995年
采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导，在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能．设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交叉波导传输特性分析的结果．Ｘ型光分支器的实现为进一步研制Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验．
高勇刘恩科李国正李国正
关键词：异质结脊形波导波导分支器锗
p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器
1996年
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
李国正高勇刘恩科
关键词：调制器异质结锗
Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器被引量：1
1996年
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。
李国正高勇刘西钉刘恩科
关键词：电光器件电光调制器硅锗
SOI定向耦合器研制被引量：1
1995年
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－１８．６ｄＤ．
赵策洲李国正刘恩科刘西钉高勇
关键词：定向耦合器SOI耦合器
锗硅合金脊形光波导的优化分析与设计被引量：6
1995年
根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验证。
高勇李国正刘恩科刘西钉
关键词：锗硅合金脊形优化设计
GeSi调制器与探测器单片光电集成被引量：1
1997年
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行的。
李娜高勇李国正刘恩科
关键词：集成光学波导调制器探测器单片光电集成
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