林黎蔚
- 作品数：39 被引量：8H指数：2
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际热核聚变实验堆计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电气工程更多>>
- 一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法：在单晶硅片基体内，形成柱形氧化硅并封闭直孔空腔，表面覆盖氧化硅；首先采用电化学刻蚀制备自封闭的多孔硅，再置于镁和水的条件下缓慢氧化，即可形成嵌入单晶硅的自封闭氧...
- 展长勇邹宇刘波任丁林黎蔚
- 文献传递
- 核聚变堆用氚增殖剂材料及其制备技术的研究进展与发展趋势被引量：1
- 2020年
- 核聚变能是清洁安全的理想能源,是最终可能解决人类能源问题的途径之一。氚是核聚变的关键原料,自然界中存在稀少,如何利用氘-氚聚变反应产生的中子与含有锂的氚增殖剂材料发生核反应制备氚并使之自持是目前聚变工程堆尚待验证的核心关键技术,且是三大难题之一。常用氚增殖剂材料包括液态含锂金属与固态含锂陶瓷,目前示范堆型设计主要考虑选用固态陶瓷增殖剂,包括硅酸锂(Li4SiO4)、钛酸锂(Li2TiO3)、锆酸锂(Li2ZrO3)、氧化锂(Li2O)等,并将增殖剂包层设计为球床结构。欧盟氦冷球床包层(HCPB)和中国氦冷固态包层(HCSB)中均选用Li4SiO4小球为增殖剂材料。根据以往设计经验,中国聚变工程实验堆(CFETR)也优先考虑硅酸锂小球作为氚增殖剂材料。本文总结了传统氚增殖剂的制备技术,包括锂同位素分离技术、小球成型工艺技术和成型过程中相纯度控制。分析对比了国内、国外氚增殖剂的常用方法的差异与优劣。通过比较发现传统制备技术获得的氚增殖剂小球的性能差异不大,且随着对氚增殖剂材料研究的推进,性能要求愈发严苛,不仅需要满足聚变堆内服役力学性能、产氚性能的要求,还应注重氚释放性能与安全性。传统球床结构目前存在诸如装载密度较低、小球易破碎堵塞提氚通道等缺陷,甚至会危及聚变堆安全,故需要开发结构和性能更优的新一代先进的增殖剂材料。本文综述了传统氚增殖剂材料制备技术,同时指出需要开发新型增殖剂材料的理由。重点阐述了新型一体成型多孔氚增殖剂的综合性能优势,并对新型一体成型多孔氚增殖剂材料研究进行了展望。
- 王昊李广忠葛渊刘波林黎蔚杨保军李亚宁荆鹏
- 关键词：聚变堆材料
- 纳米交换耦合高灵敏度磁致伸缩薄膜材料的研究
- 为了提高TbFe薄膜的低场磁致伸缩性能,本文基于磁致伸缩相与软磁相交换耦合的思想,采用直流磁控溅射方法制备TbFe<,2>/α-Fe纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜和TbFe<,2>/Fe多层膜,系统研究了热处理对TbFe<,...
- 林黎蔚
- 关键词：磁致伸缩交换耦合多层膜
- 文献传递
- 一种锆包壳表面抗高温氧化ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度涂层制备工艺
- 本发明公开了一种用于锆合金包壳表面抗高温氧化ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金涂层制备工艺。本发明采用超高真空多靶共溅射技术，在锆合金基体表面制备了ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金抗高温氧化保护...
- 刘波蒲国林黎蔚
- 文献传递
- 一种新型多孔硅及其制备方法
- 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...
- 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康
- 一种浸没注入原位表面梯度重构耐磨类金刚石涂层改性工艺方法
- 本发明公开了一种基于浸没注入原位表面梯度重构耐磨类金刚石涂层改性工艺方法，该工艺包括清洗类金刚石涂层表面、惰性气体离子浸没注入、去应力处理等步骤，惰性气体离子选用He<Sup>+</Sup>、Ne<Sup>+</Sup>...
- 刘波张娜林黎蔚
- 一种MIPM型内场发射阴极
- 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...
- 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷
- 文献传递
- 一种可控自形成MnSi<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>/Cu<Sub>3</Sub>Ge双层扩散阻挡层制备工艺
- 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSi<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>/Cu<Sub>3</Sub>Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、...
- 刘波张彦坡廖小东林黎蔚
- 文献传递
- Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究
- 2013年
- 利用多靶磁控溅射技术在SiO_2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(<200℃),Cu(Ge,Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu_3Ge相,有效抑制Cu与Si的早期扩散;在高温下(>450℃),Zr原子在Cu_3Ge/SiO_2界面析出并与SiO_2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu_3Ge/ZrO_x/ZrSi_yO_x复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜具有高热稳定性.
- 张彦坡任丁林黎蔚杨斌王珊玲刘波徐可为
- 关键词：热稳定性
- α/γ相比率调控对超音速等离子喷涂Al_2O_3阻氚涂层微结构及性能的影响
- 2019年
- 采用超音速等离子喷涂技术在中国低活化马氏体钢表面制备不同α/γ相比率的Al_2O_3阻氚涂层,研究了α/γ相比率调控对Al_2O_3涂层微观结构、力学性能和耐电化学腐蚀性能的影响。利用掠入射X射线衍射(GIXRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征Al_2O_3涂层的微观结构、粘结拉伸试验法和纳米压痕仪表征涂层的力学性能、动电位极化曲线法测试涂层的耐电化学腐蚀性能。研究结果显示:通过调控特征喷涂参数(CPSP),Al_2O_3涂层中α相含量从78.6%至24.4%可控调节,且孔隙率从2.8%降低至1.5%;α相含量为78.6%的Al_2O_3涂层硬度为(11.500±0.575) GPa,约为高γ相含量(75.6%)涂层的2倍;且高α相含量(78.6%)涂层的腐蚀电流密度较高γ相含量(75.6%)涂层的腐蚀电流密度低1个数量级。以上结果表明,高α相含量(78.6%)的Al_2O_3涂层具有更优异的力学性能、耐电化学腐蚀性能以及耐Cl^-扩散穿透能力,具有应用于聚变堆结构材料表面阻氚涂层的潜能。
- 蒲国刘波林黎蔚
- 关键词：超音速等离子喷涂微结构
