苏文斌
- 作品数：84 被引量：176H指数：9
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 一种高功率因子的铟掺杂碲化锡热电材料及其制备方法
- 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种高功率因子的铟掺杂碲化锡热电材料及其制备方法。所述铟掺杂碲化锡热电材料的化学式为Sn<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>Te，x＝0.0075‑0.0125，制...
- 王洪超李志昊王龙苏文斌王春雷
- (1-y)[(Nao.96-xKxLi0.04)0.5Bi0.5]TiO3-yBa(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
- 对(1-y)[(Nao.80K0.16Li0.04)0.5Bi0.5]TiO3-yBa(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷进行了系统研究,获得压电应变常数d33高达185(pC/N)的0.94[(Na0.80...
- 盖志刚王矜奉苏文斌亓鹏杜鹃明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷
- 文献传递
- (Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响被引量：14
- 2004年
- 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。
- 陈洪存王矜奉臧国忠苏文斌王春明亓鹏
- 关键词：半导体技术残压比
- (Cu,Mg,Nb)掺杂的SnO_2压敏材料的性质
- 2002年
- 研究了 Cu O对 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5压敏材料的密度、非线性特性、介电常数的影响。实验发现 ,适当掺杂 Cu O不仅能增大 Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度 ,而且能提高非线性系数 ,减小漏电流。掺 2 % Cu O(摩尔比 )时 ,Sn O2 · Mg O· Nb2 O5材料的致密度达到理论值的 93% ,非线性系数 α高达 9.5 ,压敏电压 V1 m A高于4 2 3V/ mm。在 2 0～ 2 0 0°C温度范围和 0 .1～ 10 0 0 k Hz频率范围 ,Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5的介电常数变化很小 ,应用晶界缺陷势垒模型 ,对 Sn O2 · Cu O· Mg O· Nb2 O5材料压敏特性进行了解释。
- 王矜奉陈洪存张妍宁苏文斌王文新徐丽
- 关键词：掺杂SNO2压敏材料肖特基势垒压敏电阻器
- 高温(Na0.5K0.5-zLiz)NbO3无铅压电陶瓷性能研究
- 采用传统陶瓷烧结工艺,制备了(Na0.5K0.5-xLix)NbO3(x-0.057-0.066)无铅压电陶瓷.Li+取代K+可以明显提高样品的居里温度(Tc),添加适量Li陶瓷样品的压电常数d33高达202-212 p...
- 王矜奉亓鹏苏文斌
- 关键词：无铅压电陶瓷压电常数介质损耗材料性能
- 文献传递
- TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应被引量：6
- 2004年
- 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。
- 明保全王矜奉陈洪存苏文斌臧国忠高建鲁
- 关键词：压敏材料二氧化锡晶粒尺寸SNO2
- 烧结温度对La0.1Sr0.9TiO3陶瓷热电性能的影响
- ＜正＞导电聚合物由于独特的结构和性能,近年来作为一种潜在的新型热电材料愈来愈引人瞩目,如何提高其热电功率因子（电导率和塞贝克系数）是目前亟待解决的关键问题。本文采用原位聚合法,制备了碳纳米管为核、聚苯胺为壳,具有纳米同轴...
- 孙毅王春雷苏文斌
- 文献传递
- Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响
- 2003年
- 研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：压敏材料二氧化锡肖特基势垒压敏电压
- Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响被引量：3
- 2003年
- 烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华高建鲁
- 关键词：氧化银二氧化锡势垒电学非线性掺杂
- 掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO_2介电与压敏性质被引量：9
- 2002年
- 研究了(Co,Nb,Pr)掺杂的SnO_2材料介电和压敏性质.当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2压敏电阻的相对介电常数从670降到280,击穿电压从827V/mm猛增到2 150V/mm.微观结构分析发现:当Pr_6O_11的量分数从0％增加到0.1％时,SnO_2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示SnO_2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因.对Pr增加引起SnO_2晶粒减小的根源也进行了解释.
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠赵春华
- 关键词：SNO2二氧化锡压敏电阻击穿电压钴掺杂
