亓鹏
- 作品数：29 被引量：93H指数：7
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：氧化锌压敏材料势垒晶界
- Zr掺杂的SnO_2瓷的压敏和介电性质被引量：6
- 2003年
- 目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小。SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
- 王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏王春明赵春华
- 关键词：二氧化锆二氧化锡势垒电学非线性
- 钕掺杂对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏电阻瓷电性能的影响被引量：2
- 2002年
- 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。
- 亓鹏王矜奉陈洪存高琨高建鲁
- 关键词：二氧化锡压敏电阻器电学性能氧化铌
- Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响被引量：8
- 2004年
- 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：ZNO压敏材料势垒晶界
- （1-y）[（Na0.96-xKxLi0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
- 2007年
- 对（1-y）[（Na0.80K0.16Li0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3无铅压电陶瓷进行了系统研究，获得压电应变常数d33高达185（pC/N）的0．94[（Na0.80K0.16Li0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3压电陶瓷。还研究了该材料[（Na0.96-xKxLi0.04）0.5Bi0.5]TiO3-yBa（Zr0.055Ti0.945）O3的性质随K含量的变化．随着Ba（Zr0.055Ti0.945）O3含量的增加，该陶瓷材料的介电温谱峰值向左移动，其介电峰温度缓慢降低；与此相反，随着K掺杂量的增加，该陶瓷材料的介电温谱峰值却向右明显移动，其介电峰温度明显升高。
- 盖志刚王矜奉苏文斌亓鹏杜鹃明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷压电性能
- (Na,K,Li)(Nb,Sb)O_3无铅压电陶瓷的性能被引量：2
- 2006年
- 采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06–x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变常数(x=0.006时d33=243pC/N)、低的介质损耗(tanδ<2×10–2)、较高的机电耦合系数(x=0.012时,k33=0.632)、高的铁电顺电相变温度(tC约400℃)。这些性能显示了它是一种替代铅基PZT的具有很好应用前景的无铅压电陶瓷。
- 郑立梅王矜奉臧国忠亓鹏杜鹃
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷机电耦合系数压电常数电滞回线
- 掺杂改性对铌酸盐无铅压电陶瓷材料性能的影响
- 压电陶瓷是重要的高技术功能陶瓷材料，它在电子和微电子装置上都有广泛的应用。自从上个世纪五十年代发现锆钛酸铅压电陶瓷以来，实用的压电陶瓷材料大部分是以锆钛酸铅或者铌镁酸铅为代表的二元、三元系材料。这些陶瓷的主要成分是PbO...
- 亓鹏
- 关键词：铌酸盐无铅压电陶瓷压电材料电子陶瓷
- (Na_(0.5)K_(0.5-x)Li_x)NbO_3高温无铅压电陶瓷性能研究被引量：4
- 2009年
- 为降低成本,采用传统电子陶瓷工艺制备了(Na0.5K0.5–xLix)NbO3(x=0.057～0.066)无铅压电陶瓷。Li取代K可以明显提高样品的居里温度(tC),x=0.066时样品的tC高达510℃,比纯(Na0.5K0.5)NbO3陶瓷高70℃左右。x=0.064时样品的d33高达212pC/N,kp为45.7%。x=0.063～0.066时样品的tanδ均低于0.020。特别是,x=0.066的样品经450℃退火24h,d33仍高达125pC/N。实验表明,(Na0.500K0.434Li0.066)NbO3是高性能的高温无铅压电陶瓷。
- 王矜奉亓鹏王春明郑立梅盖志刚
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷居里温度压电常数
- 高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制被引量：9
- 2005年
- 用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。
- 臧国忠王矜奉明保全亓鹏杜鹃郑立梅盖志刚
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷铌酸盐机电耦合系数居里温度
- 高温(Na0.5K0.5-zLiz)NbO3无铅压电陶瓷性能研究
- 采用传统陶瓷烧结工艺,制备了(Na0.5K0.5-xLix)NbO3(x-0.057-0.066)无铅压电陶瓷.Li+取代K+可以明显提高样品的居里温度(Tc),添加适量Li陶瓷样品的压电常数d33高达202-212 p...
- 王矜奉亓鹏苏文斌
- 关键词：无铅压电陶瓷压电常数介质损耗材料性能
- 文献传递
