王矜奉
- 作品数：122 被引量：439H指数：13
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>
- Pb掺杂SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应被引量：1
- 2003年
- 研究了Pb_3O_4对(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学性质的影响,当Pb_3O_4的含量从0.00增加到0.75％(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb_3O_4是调控SnO_2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂,晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小,随着Pb含量的增加,SnO_2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因,对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50％Pb_3O_4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
- 王矜奉陈洪存赵春华高建鲁
- 关键词：无机非金属材料压敏电阻器二氧化锡肖特基势垒
- Bi改性铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的温度稳定性被引量：1
- 2009年
- 铌酸钾钠基压电陶瓷(Na0.53K0.41Li0.06)Nb0.955Sb0.045O3的正交–四方多型相变在室温附近,具有良好的压电性能,但其温度稳定性很差。通过掺杂Bi2O3,使该陶瓷的正交–四方多型相变温度tO-T从15℃降低到了–9℃,同时保持了较高的居里温度tC(368℃),从而显著改善了其压电性能的温度稳定性。由于Bi3+施主掺杂作用和Sb5+较强的电负性,改性后的陶瓷保持了优良的电学性能:d33=213pC/N,kp=0.441,ε3T3=1319,tanδ=0.016。
- 吴清早王矜奉郑立梅臧国忠赵明磊
- 关键词：铌酸钾钠温度稳定性无铅压电陶瓷
- 费米面在布里渊区边界上必定与界面垂直截交的证明被引量：1
- 1992年
- 本文利用晶体中电子能带的周期性和反演对称性，证明了在布里渊区边界上，电子的等能面必定与界面正交．同时还推论出：处在布里渊区边界上的电子，其速度与界面平行．
- 王矜奉张德恒
- 关键词：正交
- Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。
- 臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏
- 关键词：氧化锌压敏材料势垒晶界
- 高性能防雷用氧化锌压敏阀片
- 陈洪存王矜奉赵连义高建鲁张海鹍王文新苏文斌钟维烈张沛霖王春雷
- ZnO压敏电阻具有良好的非线性，已被广泛应用在电子线路、电器设备的过电压保护和浪涌吸收上。防雷器是保护用电设备免受感应雷电袭击的保护器，它对用电保护水平的高低取决于核心器件ZnO压敏阀片。
- 关键词：
- 关键词：防雷器
- 溶胶-凝胶K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷的高温XRD研究被引量：8
- 2004年
- 采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉末的多晶XRD数据。
- 李正法王春雷钟维烈赵明磊王矜奉陈洪存
- 关键词：溶胶-凝胶法无铅陶瓷
- 采用双Evjen晶胞计算离子晶体的马德隆常数被引量：8
- 2001年
- 对NaCl结构以外的离子晶体 ,采用单个埃夫琴晶胞不能求得马德隆常数 .分析了产生这一现象的根源 ,提出了用体积相近的两个埃夫琴晶胞计算离子晶体马德隆常数的方法 .
- 王矜奉朱露莎邓桂昌范希会
- 关键词：马德隆常数离子晶体晶体结构
- (1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3二元系铁电陶瓷的压电特性被引量：4
- 1995年
- 已有的研究表明,二元系铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3在介电、热电、光电方面都有广阔的应用前景.本文研究了该材料的压电特性,发现在准同型相界(x=0.45)附近,压电应变常数d_(33)和机电耦合系数k_t,k_p,k_(33)达到极值,而机械品质因数Q_m达到最小值.这种具有高机电耦合特性和低Q_m的压电材料特别适用于制备宽带滤波器、水声换能器及医学超声换能器件.
- 王矜奉JRGiniewcaASBhalla
- 关键词：铁电陶瓷准同型相界压电特性钛酸铅
- La_3Ga_5SiO_(14)晶体压电系数的温度特性被引量：5
- 2005年
- 测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.
- 赵明磊王增梅袁多荣王矜奉王春雷王渊旭
- 关键词：谐振特性谐振频率温度特性压电常数压电系数温度范围
- 晶格旋转对称性的单转轴证明被引量：3
- 1996年
- 传统的晶格旋转对称性的双转轴证明方法不满足旋转对称操作至少要保持一点不动的要求．本文提出了晶格旋转对称性的单转轴证明方法，克服了双转轴证明方法的缺点．
- 王矜奉
- 关键词：晶格旋转对称性
