乐德芬
- 作品数：6 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- CVD金刚石薄膜的抗腐蚀性研究被引量：2
- 2001年
- 用微波等离子体化学气相沉积法在硅衬底上生长了金刚石薄膜 ;通过扫描电子显微镜和喇曼散射光谱对其性质进行了表征。将生成的样品分别放在氢氧化钾 ,四乙基氢氧化铵以及氢氟酸、硝酸和冰醋酸混合液中进行腐蚀研究 ,结果发现在氢氧化钾腐蚀液中 ,金刚石薄膜出现片状脱落现象 ,而在后两种腐蚀液中却表现出良好的抗腐蚀性。
- 张东平乐德芬胡一贯
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜
- 同步辐射X射线光刻技术被引量：3
- 2001年
- 同步辐射 X射线光刻 (SRXL)是本世纪超大规模集成电路 (VLSI)发展中最有希望的深亚微米图形加工技术 ,本文综述了 SRXL技术研究的现状及存在的问题 。
- 张东平乐德芬胡一贯
- 关键词：X射线光刻技术集成电路
- 扫描近场光学显微镜光纤探针的制作与分析被引量：8
- 1999年
- 描述了制作扫描近场光学显微镜光纤探针的两种简便有效的方法——带保护层的化学腐蚀法和光纤熔接机拉锥法，从实验中比较、分析了两种制作方法的优缺点，实验表明这两种方法均能制作出针尖直径为５０ｎｍ左右的光纤探针。
- 张国平明海陈晓刚吴云霞乐德芬谢建平王克逸黄文浩
- 关键词：显微镜光纤探针近场光学
- 用激光干涉法分析薄膜应力被引量：6
- 1992年
- 本文叙述了激光干涉弯曲晶片薄膜应力测定法的原理。依据这一原理建立了薄膜应力分析系统,并实际分析了作为X射线掩模基膜的Si_3N_4膜中的应力。用Stoney公式计算出Si_3N_4膜的内应力为6.4×10~8dyn/cm^2。
- 胡一贯乐德芬陈宁伟
- 关键词：内应力激光干涉
- MPCVD金刚石的Raman光谱分析被引量：8
- 2002年
- 用微波等离子体化学气相淀积法 (MPCVD)在Si基片上生长了金刚石薄膜 ,通过对其进行Raman光谱分析 ,一次表征了金刚石的结构、纯度及应力状况等材料性能 ,同时并研究了生长过程中微波功率与金刚石性质的关系。研究表明 ,微波等离子体化学气相淀积法生长的金刚石薄膜 ,除了金刚石成分的生长外 ,还会有部分非金刚石成分的生长 ,金刚石的纯度与微波功率的关系不明显 ,另外此种方法生长的金刚石薄膜主要表现为张应力。
- 张东平乐德芬胡一贯
- 关键词：MPCVD金刚石RAMAN散射应力微波功率
- 金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长被引量：9
- 1998年
- 分别采用９９．９９％的多晶铜片和９９．９５％的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜．使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜．脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数．
- 韩祀瑾陈金松方容川尚乃贵邵庆益乐德芬廖源叶祉渊易波崔景彪
- 关键词：多晶铜金刚石薄膜生长
