您的位置: 专家智库 > >

杨皓宇

作品数:11 被引量:1H指数:1
供职机构:吉林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇MOCVD
  • 3篇外延膜
  • 3篇GASB
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇计算机
  • 2篇YBCO
  • 2篇GAAS
  • 1篇电池
  • 1篇新型计算机
  • 1篇形貌
  • 1篇散热
  • 1篇散热孔
  • 1篇生长温度
  • 1篇锑化物
  • 1篇热光伏电池
  • 1篇自组织量子点
  • 1篇自组装量子点
  • 1篇温度

机构

  • 11篇吉林大学

作者

  • 11篇杨皓宇
  • 8篇张宝林
  • 7篇李国兴
  • 3篇李善文
  • 3篇周本初
  • 3篇李万程
  • 3篇杜国同
  • 1篇刘仁俊
  • 1篇王连锴
  • 1篇吕游
  • 1篇李天天

传媒

  • 4篇第十二届全国...
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MOCVD技术制备GaSb/Si异质外延结构及表面形貌研究
GaSb作为Ⅲ-Ⅴ族直接带隙窄禁带半导体材料,其所在波段与光纤通讯波长相近,同时具有载流子迁移率高,空穴有效质量小等材料特性,是制作红外光电器件的热门材料。GaSb/Si异质外延结构的制作工艺与现今的集成电路工艺兼容,可...
吕游李天天杨皓宇王连锴李国兴张宝林
以光辅助MOCVD法制备1″双面YBa2Cu3O7-x外延膜
大面积双面YBaCuO(YBCO)外延膜是制备超导微波滤波器的基础材料。目前用来制备大面积双面YBCO外延膜的方法主要有磁控溅射法、脉冲激光沉积法、多源共蒸发法、MOD法及MOCVD法等。其中MOCVD法制备外延膜与其他...
李善文李国兴杨皓宇李万程张宝林杜国同周本初
文献传递
MOCVD生长GaSb/GaAs异质结表面形貌研究
GaSb是一种重要的窄禁带、直接带隙化合物半导体材料,可以用来制备红外光电器件。异质结的晶体质量对所制备器件的性能有重要影响。本文以低压MOCVD法在GaAs(100)衬底上制备了GaSb/GaAs异质结,并分析了不同生...
王连锴李天天杨皓宇吕游李国兴张宝林
一种新型计算机显示器
本实用新型公开了一种新型计算机显示器,包括显示屏和底座,所述显示屏的表面包覆有边框,所述边框的顶部设有框条,所述框条与所述边框固定连接,所述框条的一侧嵌入设置有摄像头,所述边框另一侧设有散热孔,所述边框的背面设置有连接轴...
杨皓宇
文献传递
单面及双面YBCO高温超导膜的光辅助MOCVD生长特性研究
超导体是二十一世纪最重大的发现之一,它将引领一次新的技术革命。高温超导体YBa2Cu3O7-δ(YBCO)以其可以工作在液氮温度以上,且较易制备而被广泛研究。其主要的应用领域可分为三个方向:大电流应用、小电流应用及抗磁性...
杨皓宇
关键词:YBCO
文献传递
锑化物自组织量子点的MOCVD制备研究及热光伏器件结构模拟
锑化物材料及其构成的量子点等低维结构由于其独特性质而被广泛关注,主要应用于红外探测器,红外激光器及热光伏器件等方面。利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上制备GaSb和InSb二元化合物半导体的量子点...
杨皓宇
关键词:金属有机化学气相沉积热光伏电池计算机模拟
文献传递
生长温度对MOCVD生长的GaSb薄膜结晶质量的影响
GaSb是Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体材料,其晶格常数和许多锑基的多元化合物固溶体相匹配,这些多元化合物材料可制成红外波长(2.0μm~4.0μm)半导体激光器。此外,GaSb基结构在光电探测器、高频器件、太阳能电池及微波器件等...
李天天杨皓宇王连锴吕游李国兴张宝林
温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响被引量:1
2013年
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点。通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型。由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的"自限制"生长。量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长。Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响。升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大。
刘仁俊李天天杨皓宇王连锴吕游张宝林
关键词:MOCVD
GaSb/GaAs异质结构的低压MOCVD生长研究
GaSb材料具有低的电子有效质量和高的电子迁移率,并且其晶格常数可与大多数三元及四元锑化物匹配,因而被广泛研究。GaSb常被用作诸如长波长发光二极管、激光二极管、探测器等光伏器件的重要材料。GaSb/GaAs异质结构在太...
杨皓宇李天天王连锴吕游李国兴张宝林
以光辅助MOCVD三次生长法制备YBCO双面外延膜
李善文杨皓宇李国兴李万程张宝林杜国同周本初
共2页<12>
聚类工具0