王利杰
- 作品数：9 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
- 2012年
- 石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G)≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。
- 吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华陆东梅
- 关键词：SIC石墨烯拉曼光谱AFM
- 碳化硅智能制造系统综述被引量：1
- 2021年
- 国内高纯半绝缘碳化硅单晶未能实现工程化的原因,在于生产效率和产品的一致性较差,因此提出了建立碳化硅智能制造平台这一解决途径,以提高晶体生产效率和产品的一致性为目标,以数据监控等为基础,建立基于模型的仿真方法,采用生长过程仿真分析、制造过程监控和工艺参数自适应控制,来提高碳化硅单晶生长过程的智能化控制水平,进而推进高纯半绝缘碳化硅单晶片的产业化进程。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅数据监控模拟仿真自适应控制
- 碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究被引量：1
- 2021年
- 针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅单晶生长模糊PID压力控制晶体质量
- 碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
- 2012年
- SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。
- 吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华于茫陆东梅
- 关键词：石墨烯石墨坩埚
- 偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶被引量：2
- 2013年
- 采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶对热应力的吸收作用有关。未发现明显的穿线缺陷。发现AlN-SiC界面存在双角锥空腔,其起因是生长初期界面处未被AlN完全密实覆盖的微小区域,在生长过程中因内部温差不断发生的升华和凝华的自我调制过程。喇曼光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性较好,(0002)面X射线摇摆曲线半高宽为76 arcsec,喇曼光谱E1(TO)模的半高宽为7.5 cm-1。
- 齐海涛王利杰洪颖王香泉张志欣郝建民
- 关键词：氮化铝形貌分析
- 稀土抑制钴相变机理研究
- 郝建民王利杰刘寿荣梁福起褚连青杨惠琴
- 该成果通过纯钴相变历程的研究，发现常温下金属钴能以密排六方（hcp）和面心立方（fcc）两状态同时存在；fcc-Co不仅是高温相，也是常温亚稳相；在无应力作用下，冷却过程中不会发生fcc-Co-hcp-Co相变，应力是以...
- 关键词：
- 关键词：稀土塑性变形
- 物理气相传输法制备大面积AlN单晶被引量：13
- 2013年
- 以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征。Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向。
- 齐海涛洪颖王香泉王利杰张志欣郝建民
- 高温化学气相沉积法制备致密碳化钽涂层被引量：4
- 2017年
- 采用高温化学气相沉积法(CVD)在高纯高密石墨基片的表面沉积了碳化钽(TaC)涂层。通过研究气化温度、气体流量及沉积温度对TaC涂层表面质量的影响,确定了高温CVD法制备TaC涂层的工艺参数,最终获得高致密度的TaC涂层。
- 张丽齐海涛徐永宽王利杰史月增刘金鑫
- 关键词：TAC涂层
- 3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制被引量：6
- 2011年
- 报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）4H．SiCPVT生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。
- 王利杰冯玢洪颖孟大磊王香泉严如岳
