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苏德海

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇功率器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SIMOX
  • 1篇SOI
  • 1篇VDMOS
  • 1篇MOS功率器...

机构

  • 1篇电子工业部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇苏德海
  • 1篇王效平
  • 1篇范月珍

传媒

  • 2篇微处理机

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
相关度排序
垂直MOS功率器件的结构设计被引量：1
1991年
本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的
范月珍苏德海薜煌高成国
关键词：VDMOS功率晶体管
SOI技术进入工业开发时代被引量：1
1996年
本文叙述了SOI衬底材料的加工和检测技术，特别着重介绍了已取得惊人进展的SIMOX（separationbyimplantationofoxygen）和BESOI（BondingandetchbackSOI）技术。论述了SOI衬底在抗辐射电路、ULSI、高温器件、双极和BICMOS器件、微波器件、高电压及功率器件、智能传感器、光电子器件的应用。最后讨论了SOI衬底材料和器件在工业开发阶段存在的问题，并展望SOI技术的前景。
王效平苏德海
关键词：SOISIMOX半导体器件
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共1页<1>
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