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范月珍

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇功率器件
  • 1篇VDMOS
  • 1篇MOS功率器...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇苏德海
  • 1篇范月珍

传媒

  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
垂直MOS功率器件的结构设计被引量：1
1991年
本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的
范月珍苏德海薜煌高成国
关键词：VDMOS功率晶体管
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共1页<1>
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