- GeSi/Si PIN红外探测器的漏电现象分析被引量：1
- 1998年
- 根据半导体理论并结合实验结果，分析了以GeSi／Si超晶格为吸收材料的PIN红外探测器的漏电现象。结果表明：当锗含量x=0．6时，探测器的暗电流密度可达到10-5A／cm2，这是由超晶格的禁带宽度决定的。实际器件的暗电流较大，主要是表面因素和加工工艺的影响。
- 李娜刘恩科李国正许雪林
- 关键词：探测器超晶格红外探测器PIN
- 一种多层波导光传播计算的新方法
- 1997年
- 提出了一种新的简单的线性光学方法 ,可以使用在多层波导的光传播计算中 ,尤其是在光探测器的设计中。把设计值与目前普遍采用的BPM法进行比较 ,结果吻合较好。与BPM法相比 ,此法最大的优点是在计算中考虑了材料对传播光的吸收 ,而BPM法是在光场达到稳定分布后再考虑吸收 ,故在理论上此方法更加接近实际。作为例子用这种方法计算了一种新型的探测器的尺寸。这种探测器与Si波导的集成器件正在制作中。
- 许雪林李娜刘恩科李国正
- 关键词：探测器
- Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si超晶格光探测器与Si波导的集成探讨:光场分析被引量：1
- 1997年
- 对Ge0.4Si0.6／Si超晶格探测器光场进行了分析，并用京传播法（BPM）进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输的条件下，推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。另外还提出了这种探测器的设计长度与波导尺寸之间的依赖关系。
- 许雪林李娜刘恩科
- 关键词：光探测器束传播法锗硅材料集成光路
- Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格 PIN 波导探测器电输运过程分析
- 1997年
- 文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率、光电流、频率响应带宽等重要参数的物理意义．并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好．
- 李娜刘恩科李国正许雪林
- 关键词：超晶格硅化锗PIN探测器
- 1.3μm波长Ge<,X>Si<,1-X>/Si超晶格PIN波导探测器及Si外延波导调制器的研制
- 该文首次对Ge<,X>Si<,1-X>/Si超晶格的能带结构作了理论上的定量分析,与D.V.Lang等人作的实验测量数值吻合较好,作者所制作的潮晶格材料其导带不连续值约0.014eV.并提出在0<X<0.72的范围,其能...
- 许雪林
- 关键词：GESI超晶格调制器波导
- Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格PIN探测器的研制被引量：4
- 1998年
- 本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ探测器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件．对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流为２．６μＡ，暗电流为４００ｎＡ，探测灵敏度为０．１５３μＡ／μＷ．最大总量子效率为１４．２％．
- 万建军李国正李娜许雪林刘恩科
- 关键词：硅化锗应变超晶格
