栾和新
- 作品数：11 被引量：18H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程文化科学一般工业技术更多>>
- 基层公共部门人才全过程培养模式探究
- 2014年
- 清华大学按照"治国之才"的育人目标,积极构建面向基层公共部门的人才培养框架,转化优势打造人才培养的完整体系。学校进一步实施拟赴基层公共部门人才的全过程培养模式,在选种育苗、岗位试练、扩大基数、实践强化、临行辅导等环节开展了一系列行之有效的工作,逐步确立了"全员全程全方位"的理念,为有志于基层公共部门就业的学生成长成才提供了重要的舞台和发展机遇。
- 黄晟栾和新张小平
- 磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池的工艺及性能研究被引量：11
- 2012年
- 采用磁控溅射方法直接溅射铜铟镓硒(CIGS)靶材,制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGS薄膜,然后在Se气氛中对该CIGS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜、X射线衍射、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分以及电学性能的影响,并制备了CIGS太阳能电池。结果表明,采用磁控溅射CIGS靶材+Se气氛中退火处理的方法,可以制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120 min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。本文采用该方法制备出的CIGS太阳能电池的最高转换效率为7.69%。
- 栾和新庄大明曹明杰刘江
- 关键词：太阳能电池退火处理铜铟镓硒
- 磁控溅射法制备CIGSe薄膜太阳能电池的工艺及性能研究
- 采用中频交流磁控溅射方法直接溅射CIGSe靶材,制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGSe薄膜。采用SEM、XRD、XRF等方法观察和分析了薄膜表面形貌、组织结构和成分。溅射之后的CIGSe薄膜无法满足CIGSe太阳能电...
- 栾和新庄大明曹明杰
- 文献传递
- 磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池的工艺及性能研究
- 采用磁控溅射方法直接溅射铜铟镓硒(CIGS)靶材，制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGS薄膜，然后在Se气氛中对该CIGS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜、X射线衍射、Raman、XPF、Hall等方法观察和分析了退火的...
- 栾和新庄大明曹明杰刘江
- 关键词：薄膜太阳能电池磁控溅射法铜铟镓硒
- 文献传递
- Na元素掺杂对直接磁控溅射法制备的CIGSe薄膜的影响
- 本文重点研究Na元素掺杂对直接磁控溅射法制备的CIGSe薄膜性能的影响。采用电子束蒸发的方法在钠钙玻璃基底上制备NaF预制层,然后在NaF预制层之上采用直接磁控溅射CIGSe靶材的方法沉积CIGSe薄膜,并在Se气氛下进...
- 栾和新庄大明曹明杰
- 文献传递
- 磁控溅射法制备CIGSe吸收层的工艺与性能研究
- 2013年
- 采用中频交流磁控溅射方法直接溅射CIGSe靶材,制备得到用于太阳电池吸收层的CIGSe薄膜。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析主要工艺参数基底温度和溅射气压对薄膜表面形貌、组织结构、成分、电阻率以及载流子浓度的影响。结果表明,基底温度在250℃以上时,薄膜的黄铜矿相特征明显;当基底温度在250～300℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度在理想范围之内。提高溅射气压,薄膜的沉积速率降低,当溅射气压达到0.7～0.9Pa时,溅射速率趋于稳定;溅射气压增大,薄膜的结晶性增强,溅射气压达到0.7Pa时,薄膜的XRD特征峰较明显;提高溅射气压,薄膜的电阻率降低,载流子浓度升高,当溅射气压达到0.7Pa时,薄膜电阻率和载流子浓度在理想范围之内。基底温度和溅射气压对薄膜成分无影响,薄膜成分主要由靶材成分决定。
- 栾和新庄大明张弓刘江
- 关键词：太阳电池铜铟镓硒
- 磁控溅射法制备ZnO薄膜的工艺与性能研究
- 2013年
- 采用磁控溅射的方法,制备应用于Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池窗口层的本征ZnO薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透过率测试等方法研究和分析制备本征ZnO薄膜的工艺参数包括基底温度、氧分压等对薄膜性能的影响。结果表明:当基底温度较低时,薄膜的结晶状况较差,透过率较低,随着基底温度的升高,薄膜择优生长更明显,晶粒尺寸增大,缺陷密度降低,可见光透过率增加;当基底温度过高时,薄膜表面变粗糙,对光的散射增强,薄膜透过率减小;当氧分压较低时,薄膜中ZnO生长不充分,存在很多氧缺位。而当氧分压过高时,溅射过程中,薄膜表面吸附大量氧原子,阻碍ZnO晶粒的生长。优化后的ZnO薄膜制备工艺参数为:本底真空3.0×10-3Pa,基底温度200℃,溅射气压1.0Pa,氧分压2.0%,溅射功率0.5W/cm2,溅射时间30min。
- 栾和新庄大明
- 关键词：CIGSZNO
- 退火处理对磁控溅射制备CIGSe吸收层的影响
- 2013年
- 在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池。结果表明,采用磁控溅射CIGSe靶材+Se气氛中退火处理的方法,可制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。该文采用该方法制备出的CIGSe太阳电池最高转换效率为5.44%。
- 栾和新庄大明张弓刘江
- 关键词：太阳电池退火处理磁控溅射CIGSE
- 高校研究生班集体建设的探索与思考——以清华大学优秀班集体建设为例被引量：5
- 2013年
- 清华大学在研究生班集体建设中,将学校的育人目标和班集体成员的个体发展目标相结合,根据研究生的阶段特点有针对性地开展各项活动,积极整合利用学校、院系及社会的各种资源,注重工作方式、方法的总结传承与不断创新,结合不同专业实际情况形成良好的氛围和文化,促使班集体进入良性发展的轨道。
- 张小平栾和新钱婷
- 关键词：优秀班集体
- 硒化温度对CIGSe太阳能电池吸收层结构和成分的影响
- 本文采用预制膜硒化法制备CIGSe薄膜,考察了在520℃60℃范围内的硒化温度对CIGSe薄膜结构和成分的影响。采用XRD和XRF检测方法分析了CIGSe薄膜的结构,采用Raman检测方法分析了CIGSe薄膜的成分,利用...
- 李春雷庄大明张弓栾和新刘江宋军
- 关键词：铜铟镓硒太阳能电池
- 文献传递
