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薛世伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电学性能
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇栅电极
  • 2篇P型
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应管
  • 1篇栅结构
  • 1篇日盲
  • 1篇数值仿真
  • 1篇仿真
  • 1篇P-GAN
  • 1篇FET
  • 1篇FET器件
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇王玲
  • 3篇李向阳
  • 3篇薛世伟
  • 2篇刘诗嘉
  • 2篇王继强
  • 2篇张燕
  • 2篇李晓娟
  • 2篇谢晶
  • 1篇袁永刚

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
具有异质结结构的GaN基p型场效应管
本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅...
薛世伟王玲李晓娟王继强谢晶张燕刘诗嘉李向阳
文献传递
具有偏栅结构的p-GaN FET器件的研制
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)在紫外探测方面具有独特的优势。因此,GaN基紫外探测器在民用和军事领域得到了广泛的应用。使用GaN基材料制作的紫外探测器,通过控制其禁带宽度,可以控制器件的响应波段,实现对特定波段的...
薛世伟王玲袁永刚李向阳
关键词：P-GANFET数值仿真
具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法
本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了...
薛世伟王玲李晓娟王继强谢晶张燕刘诗嘉李向阳
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