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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离辐射
  • 1篇电离辐照
  • 1篇电离辐照效应
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇总剂量
  • 1篇晶体管
  • 1篇发射极
  • 1篇发射区
  • 1篇辐照效应

机构

  • 1篇北京工业大学
  • 1篇北京燕东微电...

作者

  • 1篇吕长志
  • 1篇孙江超
  • 1篇吕曼
  • 1篇张小玲
  • 1篇谢雪松
  • 1篇王鹏鹏
  • 1篇张彦秀

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应被引量:2
2013年
对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂量条件下,发射区周长面积比大的双极晶体管辐照敏感性更强,对于npn双极晶体管其电离总剂量辐照损伤的关键因素是辐照感生的氧化层正电荷,而影响横向pnp的关键因素为辐照感生的界面陷阱电荷的密度。提出了一种提高双极晶体管抗电离总剂量辐射性能的措施,为探索双极晶体管以及含有双极晶体管的电子线路的抗电离总剂量辐射加固技术提供了理论和实验依据。
吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志
关键词:双极晶体管发射极电离辐射总剂量
共1页<1>
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