付学成
- 作品数：42 被引量：26H指数：3
- 供职机构：上海交通大学电子信息与电气工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 一种耐腐蚀导电材料及其制备方法
- 本发明公开了一种耐腐蚀导电材料及其制备方法。耐腐蚀导电材料是以SiO<Sub>2</Sub>和铂或金为主要成分的一种新型材料。该材料利用氨水、醋酸作为催化剂，正硅酸已酯(TEOS)为SiO<Sub>2</Sub>源，甘油...
- 付学成程秀兰王英乌李瑛
- Mg和V_(2)O_(5)共溅射制备+4价钒的氧化物薄膜
- 2022年
- 在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V_(2)O_(5)靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜。当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V^(4+)和V^(2+)存在。X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是Mg V_(2)O_(5),且结晶状况良好。温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达-8.6%/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700。这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路。
- 付学成乌李瑛权雪玲瞿敏妮王英
- 关键词：电阻温度系数
- 小圆形平面靶倾斜磁控溅射镀膜均匀性研究
- 2021年
- 基于小圆形平面靶倾斜磁控溅射的实际情况,针对靶材环形刻蚀槽与水平工件台存在夹角的特点,建立数学模型。利用MATLAB软件进行模拟仿真,研究靶材与工件台正对且高度固定时,不同夹角对膜厚分布的影响。我们发现在工件台相对靶材的水平距离上,膜厚先增加后降低。当靶材夹角适当时,在工件台固定的区域范围内,薄膜沉积速率的变化近似直线。根据薄膜厚度在工件台水平面呈圆弧状递减分布实际特点,模拟出在4英寸的衬底上片内均匀性。根据模拟结果,我们在4英寸的衬底上制备出片内非均匀性小于0.6%的氮化钽薄膜,验证了数学模型的合理性,并解释了非均匀性的实验结果优于模拟计算结果的原因。这为设计制造磁控溅射镀膜设备提供了参考。
- 付学成徐锦滨乌李瑛黄胜利王英
- 关键词：磁控溅射数学模型
- 提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备
- 本发明提供了一种提高锗Ge MOS电容器件性能的方法、系统及设备。在制备锗MOS器件结构时，利用等离子增强型原子层沉积设备，通过对锗衬底进行NH<Sub>3</Sub>/N<Sub>2</Sub>混合等离子体原位预处理，...
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- 文献传递
- 用于电子束蒸镀金属银膜的钨坩埚改造被引量：1
- 2022年
- 采用钨坩埚和电子束蒸发设备蒸镀金属银薄膜时,银在熔融状态下和钨坩埚是浸润的,坩埚内熔融金属的液面呈凹陷形状。这类凹陷形状的蒸发源,常常会导致被沉积薄膜的均匀性变差。根据固体表面微结构会改变液体与固体接触角的理论,本文尝试用化学腐蚀的方法在光滑平整的钨坩埚内壁上加工出沟槽阵列,来改变熔融金属材料与钨坩埚内壁的接触角,从而改变液态银与钨坩埚壁的浸润性。结果表明,当沟槽宽约1mm,深约0.5mm,周期约2mm时,熔融的金属银和钨坩埚内壁不再浸润。用改造前和改造后的钨坩埚分别蒸镀厚度100nm的银膜,发现改造后的钨坩埚可以有效提高蒸镀薄膜的均匀性。
- 付学成乌李瑛栾振兴毛海平王英
- 关键词：电子束蒸发银薄膜微结构均匀性
- 基于FIB辐照加工制备三维结构的动态过程被引量：2
- 2020年
- 基于FIB直写及辐照技术加工制备了金膜的三维立体结构,并测量了薄膜结构形变量随辐照时间的变化,分析了其动态变化过程及机理。结果表明,金膜在离子束辐照下,金原子和镓离子相互作用,在金膜内部产生空位及位错,从而引起薄膜应力,经过一定的弛豫时间,应力发生释放,随后三维结构的形变量随着镓离子辐照剂量的增加缓慢变化。
- 沈贇靓瞿敏妮王英付学成
- 关键词：聚焦离子束辐照金膜
- 光敏BCB光刻图形化工艺研究被引量：1
- 2016年
- 光敏BCB-苯并环丁烯(benzocyclobutene)具有低介电常数、低介电损耗、低吸湿率、高热稳定性、良好的化学稳定性以及高薄膜平整度和低固化温度等优良的加工性能,在现代微电子制造封装工艺中有非常重要的应用,常用作各类器件钝化防护和层间介电等材料。通常在应用过程中,BCB层上都要形成微细的连接通孔或连接窗口图形。但由于BCB胶对温度非常敏感,且应力因素影响明显,光刻工艺条件比较临界,从而限制了BCB胶的发展和应用,因此优化BCB光刻工艺条件具有重要的实际意义和应用前景。通过控制光刻过程中前烘、光刻及显影等条件,研究了在硅基底表面BCB的成孔工艺。结果表明通过稳定显影条件,适当地提高前烘温度,延长前烘时间和曝光时间,对BCB胶形成图形都有一定的改善。实验中采用矩阵法设计了多组交叉实验,找出最佳前烘及曝光工艺,形成了图形结构良好的光刻图形。
- 王凤丹王英刘民付学成李进喜沈赟靓马玲
- 关键词：光刻工艺形貌
- 电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法
- 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封...
- 付学成程秀兰王英乌李瑛
- Cu电极保护膜层氧化铝的原子层沉积工艺研究
- 2023年
- 介绍了硅功率器件Cu电极保护钝化膜层氧化铝的制备方法。采用热法ALD工艺和等离子增强ALD工艺在铜上沉积氧化铝薄膜,研究了不同ALD工艺、氧化剂种类、沉积温度和载气对氧化铝膜层质量及铜抗氧化保护效果的影响。结果表明:氧化剂对原子层沉积氧化铝薄膜的质量和铜电极的保护性能起着决定性作用;以臭氧(O3)作为氧化剂,氧化铝薄膜极易脱落,与铜表面的结合力很差;以氧等离子体(O-)作为氧化剂,铜表面被氧化形成了氧化铜(CuOx)层;而以水蒸气(H2O)作为氧化剂,在低温100℃下,得到的Al2O3薄膜致密,无明显缺陷,且与铜金属层的结合力较优,对铜抗氧化保护效果良好;当沉积温度高于200℃时,原子层沉积氧化铝薄膜的缺陷明显增多;等离子增强ALD工艺中,当载气为Ar时,所得氧化铝膜厚度不均匀,铜电极发生强烈氧化。
- 乌李瑛瞿敏妮付学成田苗马玲程秀兰
- 关键词：原子层沉积铜电极氧化铝氧化剂
- 一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶
- 本发明提供了一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶，所述磁靶包括靶材和磁铁；所述磁铁包括圆柱形磁铁和梅花形环状磁铁；所述圆柱形磁铁位于梅花形环状磁铁的中心；所述圆柱形磁铁与梅花形环状磁铁同圆心且磁铁高度相同。相比...
- 付学成
- 文献传递
