陈帅
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西北工业大学理学院更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- MgO相分离对Mg_xZn_(1-x)O纳米粉体结构和光学性能的影响
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长。室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强。样品的室温透过率显示:MgxZn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小。
- 谢海燕赵小如段利兵白晓军刘金铭陈帅史小龙
- 关键词：溶胶-凝胶法光学性能
- SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2：Sb薄膜光电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。
- 陈帅赵小如段利兵白晓军刘金铭谢海燕关蒙萌
- 关键词：溶胶-凝胶法透明导电氧化物缓冲层
