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李艳丽

作品数：13 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构：中国科学院
研究主题：低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周剑平
供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
研究主题：MN 离子注入 介电性能 磁性 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋书林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 离子注入 砷化镓 X射线衍射 稀磁半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张富强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性 稀磁半导体 磁性半导体 铁磁性 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晨龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 硅 低能离子束 液相外延生长 采光板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘力锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：低能离子束 铁磁性 砷化镓 硅 MN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨菲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：材料性质 氧化物 薄膜生长 介质材料 锑化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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