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韩锴

作品数：46 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

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机构

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传媒

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  • 2个重庆邮电大学...
  • 2个前瞻科技
  • 1个红外与激光工...
  • 1个低温物理学报

地区

  • 9个北京市
  • 1个重庆市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马雪丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈世杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：界面层 半导体器件 介质层 阈值电压 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡雪梅
供职机构：重庆邮电大学
研究主题：铁电阴极 电子发射 大功率LED 强电流 无线传感器网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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