关蒙萌
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学轻工技术与工程更多>>
- 一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
- 本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法，其特征在于步骤如下：在室温下，将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>：V<Sub>盐酸</Sub>=n：1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
- 赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
- 文献传递
- SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2：Sb薄膜光电性能的影响被引量：3
- 2012年
- 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。
- 陈帅赵小如段利兵白晓军刘金铭谢海燕关蒙萌
- 关键词：溶胶-凝胶法透明导电氧化物缓冲层
- 一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
- 本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法，其特征在于步骤如下：在室温下，将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>：V<Sub>盐酸</Sub>=n：1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
- 赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
- 一种调节氧化物半导体基质中Eu<Sup>3+</Sup>发光强度的方法
- 本发明涉及一种调节氧化物半导体基质中Eu<Sup>3+</Sup>发光强度的方法，其特征在于：先制备TiO<Sub>2</Sub>溶胶和SiO<Sub>2</Sub>溶胶，将TiO<Sub>2</Sub>溶胶和SiO<S...
- 赵小如孙慧楠史小龙关蒙萌
- 文献传递
