设计了一种新颖的"5+7"分段式结构的R-2R电阻网络。与典型12位R-2R电阻型D/A转换器相比,采用该电阻网络的12位D/A转换器所需并联的MOS开关管数量大为减少,约为前者的1/8,提高了MOS开关管的匹配性。基于2μm SOI CMOS工艺,采用该R-2R电阻网络结构设计了一款±15V电压供电、双基准、12位四通道的D/A转换器,修调后,该D/A转换器DNL和INL典型值分别为0.15LSB和0.27LSB。
基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验证,常温基准输出电压为2.496 V,-55℃～125℃温度范围内的温度系数是3.1×10^(-6)/℃;低频时,电源电压抑制比为-77.6 d B;供电电压在4～6 V范围内,基准输出电压的线性调整率为0.005%/V;负载电流在0～10m A范围内,基准输出电压波动为219μV,电流源负载调整率为0.022 m V/m A。
设计了一种新颖的LDO线性稳压器。该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点。基于0.6μm SOI CMOS工艺进行流片。测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2～-18V,可调输出电压为-1.3V～VIN+0.5V@IOUT=15mA。该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化。内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃。线性调整率为0.015%,负载调整率为0.85Ω。
