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洪根深

作品数:126 被引量:68H指数:5
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

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62 条 记 录,以下是 1-10
徐海铭
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢儒彬
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 单粒子 总剂量辐射 总剂量 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐政
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 半导体功率器件 抗辐射 多晶 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴素贞
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 反熔丝 淀积 功率开关器件 集成电路技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王印权
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:反熔丝 淀积 编程 浮栅 电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾祥
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 SOI器件 接触孔 SOI ESD保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 抗辐射 NPN 高抗 发射结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱少立
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 单粒子 介质隔离 SOI器件 NPN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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